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NEXPERIA PSMN2R6 MOSFET

安派瑞PSMN2R6-80YSF NextPower n沟道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-06-25

摘要： 一个80V，标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，更高的效率和更低的尖峰。

Nexperia PSMN2R6-80YSF NextPower n沟道MOSFET是一款80V标准电平栅极驱动MOSFET。PSMN2R6-80YSF提供低Q(rr)，以实现更高的效率和更低的尖峰。该器件为高效开关应用提供低Q(G) × R(DSon) FOM。

安派瑞PSMN2R6-80YSF MOSFET符合175°C的要求，采用LFPAK56E封装。

特性

低Q(rr)，效率更高，峰值更低
231A I(D(max)) -显示连续额定电流
低Q(G) × R(DSon) FOM用于高效率开关应用

强雪崩能量等级(E(as))
雪崩评级和100%测试
无ha和符合RoHS的LFPAK56E封装

应用程序

交流-直流和直流-直流同步整流器
DC-DC的一次侧开关
无刷直流电机控制

USB-PD适配器
全桥和半桥应用
反激和谐振拓扑结构

典型的应用程序

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