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摘要： 设计用于替换单个器件和附加的外部偏置电阻网络。
onsemi双NPN双极数字晶体管设计用于取代单个器件和附加的外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个单晶体管和一个由两个电阻(串联基极电阻和基极-发射极电阻)组成的单片偏置网络。通过将这些单独的组件集成到单个器件中，这些半NPN双极数字晶体管上的BRT简化了电路设计并消除了它们。BRT还可以减少系统成本和电路板空间。
简化电路设计
减少电路板空间
这些设备是无铅，无卤素/无溴化阻燃，并符合rohs标准
减少组件数量
S和NSV前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用;通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
I/O信号控制
逻辑开关
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