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摘要： 适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)和照明应用。
ROHM半导体n通道汽车级功率mosfet具有低导通电阻耗散功率高达76W。这些mosfet是符合rohs标准的无卤素产品。n沟道功率mosfet采用小尺寸、高功率封装，最大可减少64%的安装面积。这些mosfet是先进驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐、车身和照明应用的理想选择。
采用原装端子和电镀处理，实现高安装可靠性
低导通电阻
AEC-Q101合格
通过无铅认证
可在一个小的高功率包
RD3P06BBKHRB:
100V漏源电压
±59A连续漏极电流
76W功耗
1110pF输入电容
上升时间18ns
RF9L120BKFRA:
漏源电压60V
±12A连续漏极电流
23W功耗
440pF输入电容
6ns上升时间
RQ3G270BKFRA:
漏源电压40V
±27A连续漏极电流
69W功耗
1030pF输入电容
12ns上升时间
RQ3L270BKFRA:
漏源电压60V
±27A连续漏极电流
69W功耗
990pF输入电容
10ns上升时间
RQ3L270BLFRA:
漏源电压60V
±27A连续漏极电流
69W功耗
1080pF输入电容
10ns上升时间
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