1200 V SiC mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-08-06

摘要： Nexperia 1200 V SiC mosfet适用于电动汽车充电基础设施和光伏逆变器。

Nexperia的D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装中业界领先的1200 V碳化硅(SiC) mosfet提供30 毫欧， 40 毫欧， 60 毫欧和80 毫欧 R(DS(ON))值的选择。在此之前，安派瑞发布了两款3引脚和4引脚TO-247封装的分立SiC mosfet。该系列SiC MOSFET产品组合正在迅速扩展，包括灵活封装的R(DS(ON))值为17 毫欧， 30 毫欧， 40 毫欧， 60 毫欧和80 毫欧的器件选项。

特性

优异的R(DS(ON))温度稳定性
极低的开关损耗
快速反向恢复
切换速度快

不间断电源
马达驱动器

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