PANJIT的60 V、100 V和150 V n沟道功率mosfet采用先进的沟槽技术设计，在性能和效率方面树立了新的标准。这些mosfet专为汽车和工业电源系统设计，具有无与伦比的性能值(FOM)，显着降低R(DS(ON))和减小电容。这确保了最小的传导和开关损耗，提高了整体电气性能。

该MOSFET系列有各种封装，包括DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA和TO-220AB-L。这些紧凑的封装为现代电子系统提供了高效的设计解决方案。这些mosfet的工作结温高达+175°C，坚固可靠，其AEC-Q101认证进一步证明了这一点。

这些mosfet是各种汽车应用的理想选择，包括无线充电发射器，电池管理系统，前后照明系统，DC/DC转换器，信息娱乐系统等。它们的低导通电阻和高效率提高了这些系统的性能和可靠性。此外，它们的多功能性扩展到工业动力系统，扩大了它们的适用范围和用途。