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摘要： 为高性能和可靠性而设计。
英飞凌XHP 2 CoolSiC MOSFET半桥模块专为高性能和可靠性而设计。英飞凌技术模块的额定电压为3300V，标称电流为1000A，重复峰值电流为2000A，工作结温高达+175°C。这些模块提供低开关损耗和高电流密度，通过低电感设计实现。从机械上讲，这些模块在一个大于600的比较跟踪指数(CTI)封装中提供了高功率密度，确保了高爬电和高间隙距离。AlSiC基板增强了热循环能力，使这些模块非常适合要求苛刻的应用。
电
V(dss) = 3300v
Ff2000uxtr33t2m1 i (dn) = 1000a / i (drm) = 2000a
Ff2600uxtr33t2m1 i (dn) = 750a / i (drm) = 1500a
T(vj,op) = +175℃
低开关损耗
高电流密度
低电感设计
机械
高功率密度
CTI大于600的包
爬电和间隙距离大
AlSiC基板，增加热循环能力
低热阻AlN衬底
牵引驱动
高功率转换器
高频开关应用
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