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摘要： 通过AEC-Q101认证，旨在重新定义汽车应用中的功率效率和可靠性。
MCC MCTL150N06YHE3汽车级60V n沟道MOSFET旨在重新定义汽车应用中的功率效率和可靠性。该功率MOSFET具有2.4毫欧的低导通电阻，可最大限度地减少功率损耗并提高能效。MCTL150N06YHE3 MOSFET通过AEC-Q101认证，可提供高耐用性，结温度高达175°C，确保组件能够处理恶劣条件。创新的TOLL-8封装在紧凑的占地面积内提供高功率密度，具有出色的热效率。MCTL150N06YHE3 MOSFET采用Split-Gate Trench (SGT)技术，可提高照明控制、电机驱动和其他要求苛刻的汽车应用的性能和效率。
AEC-Q101高耐久性合格
60V漏源击穿电压(V(DS))
150A连续漏极电流(I(D))
2.4毫欧低R(DS(ON))，最大限度地减少功率损失，提高能源效率
分闸沟(SGT)技术，提高性能和效率
优越的散热性能，优化散热
158W总功耗(P(D))
-55°C至175°C工作结温
TOLL-8L高功率密度散热封装
水分敏感性等级1 (MSL-1)
无卤“绿色”设备
无铅完成
通过无铅认证
直流-直流转换器
电动助力转向(EPS)
电动水泵
照明控制
座椅控制系统
马达驱动器
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