在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N沟道增强型MOS）凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。 

一、产品概述：PowerTrench工艺与屏蔽栅技术的融合 

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺，结合屏蔽栅结构，通过优化载流子迁移路径与电场分布，实现： 

极低导通电阻：RDS(on)低至3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），显著降低导通损耗。 

快速开关性能：优化栅极电荷（Qg）与软恢复体二极管，支持高频应用。 

工业级可靠性：100% UIS测试认证，确保雪崩能量耐受能力。 

二、核心性能与关键参数 

1. 导通与动态特性 

RDS(on)@10V=3.5mΩ：相比传统MOSFET，导通损耗降低，提升电源转换效率。 

低反向恢复电荷（Qrr）：减少同步整流中的反向导通损耗，优化系统能效。 

快速开关响应：开启/关断延迟时间优化，适配高频PWM控制。 

2. 可靠性认证与环保标准 

100% UIS测试：单脉冲雪崩能量（EAS）通过严格验证，保障感性负载场景稳定性。 

RoHS合规：无铅环保工艺，符合全球环保法规。 

3. 热性能与封装设计 

PDFN3*3-8L封装：贴片式金属背板设计提升散热能力，支持持续高电流工况。 

宽温工作范围：-55℃~150℃，适应严苛环境。 

三、典型应用场景 

1. 同步整流（ATX/服务器/电信PSU） 

低RDS(on)与Qrr特性：优化DC/DC转换效率，减少同步整流损耗，适用于钛金级电源设计。 

高频开关能力：适配LLC谐振拓扑，提升功率密度。 

2. 工业电机驱动与不间断电源（UPS） 

80A持续电流能力：支持伺服电机、AGV小车驱动需求。 

高雪崩能量耐受：应对电机启停与电池切换瞬态冲击，系统可靠性提升25%。 

3. 微型太阳能逆变器（Micro Solar Inverter） 

高效MPPT控制：低导通损耗提升光伏能量转换效率。 

宽温工作范围：适应户外极端温度波动，保障长期稳定运行。 

四、选型推荐

除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。