东芝推出了40V N沟道功率MOSFET

来源：http://news.hqew.com/info-299452.html 发布时间：2016-02-25

摘要： 在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中，东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS “U-MOS IX Serie...

在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中，东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。

该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS “U-MOS IX Series”沟道工艺制造的芯片进行低阻抗TO-220SM(W)封装，实现了低导通阻抗。

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