世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay )写入特性。

       FM25040C、FM25C160C和FM25640C分别是 4、16和 64Kb F-RAM存储器，能够以高达20MHz的总线速度进行写操作，具有行业标准串行外设接口(SPI)。F-RAM存储器阵列在接收到数据后，立即将数据写入存储器，不同于需要数据轮询的EEPROM和其它非易失性存储器，F-RAM存储器可以立即开始下一个总线周期，这些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存储器非常适合需要频繁和快速写入的非易失性存储器应用，包括工业控制和高速数据采集等应用。