世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，凭借在MOSFET方面雄厚的技术实力和生产工艺，成功开发了新一代创新型MOSFET代工方案——600-700V Super Junction（超级结结构）MOSFET(SJNFET)工艺，并开始进入量产阶段。此SJNFET工艺平台的成功推出，标志着华虹NEC在功率分立器件领域取得了突破性进展，将为客户提供更丰富的工艺平台与代工服务。

        早在2008年，华虹NEC就在8英寸代工厂中首家推出了400-800V的Trench（沟槽类型）结构的高压MOSFET工艺平台。2010年华虹NEC再接再厉，突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，成功开发了一种新型SJNFET的制程工艺，从而突破了MOSFET 界所谓的“硅极限”（导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方），在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。

        华虹NEC的SJNFET工艺平台是华虹NEC针对市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用而开发的，拥有开关速度更快、开关损耗更低、芯片面积更小、导通电阻更小等优点，是世界节能减排目标实现的重要功率半导体技术之一。目前已有多家国内外客户采用此平台实现量产，各项性能和指标达到并优于业界水平。

        在功率分立器件领域，华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂，也是世界上出货量最大的厂家，截至目前，分立器件累计出货超过250万片8英寸晶圆。华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示，“Super Junction项目将进一步扩展丰富华虹NEC的工艺线，并且进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位。华虹NEC将继续发挥自身工艺和研发优势，为促进和推进国内新型电力电子产业的发展而努力。”