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东芝公司(Toshiba Corporation)将推出采用新开发的微CMOS工艺打造的200mA输出单LDO稳压器。该款产品的特点包括低噪音输出、高纹波抑制率、高速负载绝佳响应和低压差。&...
X-FABSilicon Foundries日前发表XT018,世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上,大幅减...
世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布,凭借在MOSFET方面雄厚的技术实力和生产工艺,成功开发了新一代创新型MOSFET代工方案——600-700V Super...
全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司和全球领先的半导体代工厂联华电子公司(以下简称"UMC")于今日宣布,赛普拉斯由UMC代工的专有40nm嵌入式电荷捕获 (eCT?) 闪存微控制器(MCU),现已开始大单出货。这标志着赛普拉斯闪存技术和UMC 40nm低功耗(40...
近日,应用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速热处理(RTP)系统,推动最先进纳米级晶体管制造的发展。该系统超越了当前的RTP技术,将退火工艺的精确性和控制性提高到了一个新的水平,为芯片制造商减少了可变性并大幅提高了其高价值高性能器件生产的成品率。对于制造商而言,要取得...
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