近日，在美国旧金山举行的2011年美西半导体设备暨材料展上，应用材料公司展示了其用于生产未来几世代微芯片的技术创新成果。在过去的几周内，应用材料公司已经推出八款产品，致力于帮助客户在芯片设计日趋复杂的新世代解决来自芯片制造方面的主要挑战。

  应用材料公司董事会主席兼首席执行官麦克?斯普林特表示：“我们很高兴宣布推出多项全新半导体技术，帮助客户制造新型芯片设计中一些最具挑战性的关键结构。这些产品由我们的硅系统事业部制造，助力芯片制造商在高性能、多功能新世代顺应新材料和结构的变化，满足市场对更加智能、连接更多的移动终端设备不断增长的需求。”

  应用材料公司推出的八款新产品旨在挖掘这些高性能器件从互连布线到最先进的晶体管栅极结构的所有潜能。这些产品分别是：Reflexion GT W CMP、Vantage Vulcan RTP、Centura DPN HD、Endura Versa XLR W PVD、Endura HAR Cobalt PVD、Centura Integrated Gate Stack、Producer Black Diamond 3和 Producer Nanocure 3。

  Applied Centura Integrated Gate Stack系统

  Applied Centura Integrated Gate Stack系统用于制造22纳米技术节点逻辑芯片的关键栅极介质结构，是唯一能够在单一真空环境中处理整个高介电常数多层叠膜的系统，可保护其关键薄膜界面的完整性。对于最先进的微处理器和图形芯片而言，这种能力对于最大限度提高晶体管速度、减少耗电量至关重要。

  随着逻辑芯片逐步走向22纳米及以下技术节点，晶体管的核心栅极介质薄膜叠层正日益变薄，使其必须采用原子级制造技术制造。为了应对这一挑战，Integrated Gate Stack系统采用了应用材料公司先进的原子层沉积（ALD）技术，制造厚度小于2纳米（约为人类头发宽度的十万分之一）的超薄铪基介质层——每次沉积单层薄膜的一部分，从而获得整片硅片无与伦比的一致性。

  更重要的是，随着这些薄膜日益变薄，相邻介质层之间的界面也变得更加重要。全新的Integrated Gate Stack系统可以完全在真空条件下制造整个栅极介质叠层——通常涉及4个工艺步骤。这一独特的方法可防止界面因接触外界空气受到污染，导致晶体管性能下降。应用材料公司的研究人员发现，在制造过程中避免接触空气可大幅提高晶体管性能：晶体管中的电子迁移率可增加近10%，晶体管之间的开关电压可变性可被降低近40%，这有利于制造速度更快、价值更高的芯片。

  Applied Producer Black Diamond 3沉积系统、Applied Producer Nanocure 3紫外线固化系统

  这两套系统用于制造22纳米及更小技术节点逻辑芯片上快速、省电的互连结构，它们的结合使用制造出至关重要的低介电常数介质薄膜，不仅可用作连接芯片晶体管间长达数英里铜导线的绝缘体，而且还能使智能手机、平板电脑和个人电脑速度更快、更省电。