三星宣布导入20nm级 NAND闪存芯片

来源：http://news.hqew.com/info-178482.html 发布时间：2010-10-14

摘要： 三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G 每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入，但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年8月，Toshiba宣布了24nm 64G NA...

三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G 每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。

三星称该芯片技术已于今年4月导入，但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年8月，Toshiba宣布了24nm 64G NAND闪存，在NAND闪存制程赛跑中处于领先。

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