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IR推出新一代高传导和低开关损耗600V沟道IGBT

来源:http://news.hqew.com/info-169883.html 发布时间:2010-06-18

摘要: 全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,能够在最高3kW的不断电系统 (UPS) 及太阳能转换器中,减少高达30%的功率损耗。该批新特定应用产品系列采用IR最新一代的场终止沟槽栅技术,可...

全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,能够在最高3kW的不断电系统 (UPS) 及太阳能转换器中,减少高达30%的功率损耗。

该批新特定应用产品系列采用IR最新一代的场终止沟槽栅技术,可降低传导和开关损耗,并为低短路要求的20kHZ开关作出优化,提高 UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率。

IR 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示:"传统来说,每当IGBT组件应用于UPS和太阳能转换器所使用的频率时,就会出现极大的开关损耗。IR新推出的沟道IGBT组件结合了较低的开关能量和低传导损耗。这些较低的损耗可以为终端用户提高效率、降低设备单元的体积,以及节省发电成本。"

新IGBT系列与超快速软恢复二极管封装在一起。与穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT相比较,新IGBT系列拥有较低的集电极到发射极饱和电压(VCE(on)) 及总开关能量 (ETS) 。此外,内置超快速软恢复二极管也能提高效率且降低EMI。

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