日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将用此芯片生产32GB内存模块，应用于服务器、大型数据中心或其他大型系统等，DRAM大厂在产品规格之战，逐渐由主流规格2Gb，延伸至4Gb容量。

尔必达22日指出，将正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保风，4Gb DDR3芯片新产品与上一代2Gb的DDR3相比较，可节省30%的耗电量。

尔必达进一步表示，这项4Gb DDR3芯片新产品最高容量可用于32GB内存模块，初期应用领域是在服务器、大型数据中心或其他大型系统等，其他应用范围还包括消费性电子、个人计算机 (PC)、游戏机等，而用于大型系统时，其省电的特性即更能淋漓发挥。

尔必达计划于2010年第2季试产4Gb DDR3芯片，紧接着预计第3季可步入量产阶段，此产品线会于日本广岛厂生产。

目前台系合作厂商包括力晶、瑞晶和茂德都是以63纳米制程生产1Gb的DDR3芯片，待下半年45纳米制程量产后，将会开始生产2Gb容量的DDR3芯片。

三星电子也抢先在3月底推出采用 40纳米制程DDR3芯片制成的32GB内存模块，强调的优点是高效能、低耗能，同也样是以省电和环保作为诉求之一。

尔必达日前也公布 2009年度(2009年4月~2010年3月)财测，成果相当亮丽，正式转亏为盈，获利达20亿日圆，营业利益也出现3年来首见获利，达为260亿日圆，主要还是受惠DRAM价格大涨之赐。

2010年尔必达在营运策略上，转向大力支持PC大厂，主要也是因为新机种的换机需求，会由PC大厂做带头示范的作用，因此初期的终端需求都集中在PC身上，目前DRAM缺货严重，预计DRAM缺口会延续至2010年第3季。