KLA-Tencor公司日前宣布推出WaferSight PWG已图案晶圆几何形状测量系统、LMS IPRO6光罩图案位置测量系统和K-T Analyzer 9.0先进数据分析系统。这三种新产品支持KLA-Tencor独特的 5D图案成型控制解决方案，此方案着重于解决图案成型工艺控制上的五个主要问题——元件结构的三维几何尺寸、时间效率和设备效率。5D图案成型控制解决方案主要通过对光刻模块工艺和非光刻模块工艺的量化、优化和监控，来获取最佳的图案成型结果。通过将以上设备测量结果与智能反馈及前馈工艺控制回路相结合，此项解决方案能够帮助芯片制造商利用现有工艺设备以更快及更有成效的方式来提升多重图案成型技术、隔板周期分割及其他先进图案成型技术。

  KLA-Tencor参数化解决方案集团副总裁Ahmad Khan称：“工艺控制为帮助我们的客户在驾驭日渐狭窄的工艺窗口、缩小图案叠层对准误差预算以及复杂的创新图案成型技术扮演了重要的角色。在光刻模块中，我们的Archer 500叠层对准和SpectraShape 9000关键尺寸先进测量系统提供了识别和监测图案成型误差的信息。我们的新型WaferSight PWG和LMS IPRO6提供了光刻模块以外的工艺数据或光罩相关图案位置误差，对图案成型侦错提供了额外的信息。在K-T Analyzer 9.0 灵活的数据分析支持下，它适切整合了整个晶圆厂各方面的测量数据，进而扩大了工艺窗口，因而能够有效改善客户尖端产品在生产线上的图案成型监控。”

  多家先进设备的集成电路制造商已在他们的研发单位或生产线安装了WaferSight PWG，它用于测量各个工艺阶段的已图案成型晶圆的几何形状，并帮助芯片制造商识别和监测其影响图案成型的变因。WaferSight PWG采用业界特有的垂直晶圆载座大幅度减小重力对形状测量的影响和每晶圆 350万数据点的采样密度，提供了高度精确的晶圆形状数据，然后前馈至光刻模块，去除晶圆几何形状对光刻扫描的影响，以改善图案的叠层对准。WaferSight PWG还采用独特技术，可同时测量晶圆的前后表面，提供晶圆厚度指标，用来帮助减小光刻机在扫描聚焦时的误差。WaferSight PWG乃建构于全球晶圆制造商已经广泛采用，用于检测祼晶圆几何形状的WaferSight之平台架构上。

  先进的光罩制造商则使用LMS IPRO6做全面性光罩图案放置误差的鉴别，这种误差会直接造成晶圆上的图案叠层对准误差。LMS IPRO6采用基于模型的专有测量技术，除了能够准确直接测量光罩上元件图案的位置，它也还能测量标准型的的对准标记的位置，藉此提供有效高密度的采样质量，以作出更可靠的光罩质量决策。LMS IPRO6的测量时间比其前身更为快速，以支持多重图案成型技术上需要测量更多光光罩及光罩上更多采样点的产能需求。LMS IPRO6能够量取元件图案复写位置的误差数据，以反馈给电子束光罩复写器做后续改善，此位置误差资料并能够前馈至晶圆厂的光刻模块，用于去除光罩误差对光刻扫描的影响，从而改善晶圆级的图案成型准度。

  K-T Analyzer 9.0已安装在晶圆代工厂及内存制造厂，是最新版本的业界标准平台，可对叠层对准、光罩位准、晶圆几何形状、薄膜、关键尺寸及元件轮廓测量系统等各种类型的测量系统进行先进的即时数据分析。K-T Analyzer 9.0即时计算产品线上每批量光刻机上各个曝光场的个别校正，这种个别校正无需完整晶圆的测量数据，而能够提高控制技术计算上的准确度，并进而减少图案叠层对准误差。此外，K-T Analyzer 9.0新的功能还包含多台光刻机群管理、光刻机数据分析和光刻机对准位置优化能力，为芯片制造商提供灵活的解决方案，以改善光刻机的利用率，并监控和优化光刻工艺。

  WaferSight PWG、LMS IPRO6和K-T Analyzer 9.0是KLA-Tencor的综合5D图案成型控制解决方案的组成部分，该解决方案还包括叠层对准、薄膜、关键尺寸和元件轮廓测量系统以及PROLITH 光刻和图案成型模拟器。为了保持高性能和高产能，满足最先进的生产需要，WaferSight PWG、LMS IPRO6和K-T Analyzer 9.0系统由KLA-Tencor的全球综合服务网络提供支持。