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罗姆推出高温环境可用的超低IR肖特基势垒二极管

来源:http://news.hqew.com/info-228687.html 发布时间:2012-06-26

摘要: 日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV)...

       日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV)和混合动力车(HEV)等要求更低功耗的电路节能。

       本产品已从1月份开始销售样品(样品价格50~200日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地,前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本冈山县),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰国)、ROHM Korea Corporation(韩国)进行。

     

       高温环境下使用的车载、电源设备的电路中,由于担心热失控,因此普遍采用整流二极管和快速恢复二极管(FRD)。但是由于整流二极管和FRD的VF值较高,因此很难实现EV和HEV所要求的更低功耗。在这种背景下,VF值较低的肖特基势垒二极管(SBD)在高温环境下亦可安全使用的产品的开发需求逐年高涨。

 

       此次,罗姆通过采用最适合高温环境的金属,实现了业界顶级低IR化。与传统的SBD相比,IR降低到约1/100,使高温环境下的使用成为可能。

       由此,整流二极管和FRD的替换成为可能,VF特性得以大幅改善(与传统的FRD相比,VF降低约40%)。另外,更低VF可以抑制发热,成功实现小型化封装,有助于不断电子化、小型化需求高涨的EV、HEV节省空间。

罗姆今后还会进一步推进整流二极管的替换带来的低VF化、小型化,不断为提高车载、电源设备的效率做出贡献。

 

<特点>

1)  与传统产品相比,损耗约降低40%

       与一般用于车载的FRD相比,VF降低约40%。有助于降低功耗。

     

 

2)  小型封装有助于节省空间

       与传统产品相比,可实现小一号尺寸的封装设计。

     

 

3)  高温环境下亦无热失控

       实现了超低IR,因此Ta=150℃也不会发生热失控,可在车载等高温环境下使用。

     

 

<规格>

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