韩无晶圆厂ATO开发出NAND Flash

来源：http://news.hqew.com/info-211586.html 发布时间：2012-03-02

摘要： 韩国无晶圆半导体厂(Fabless)ATOSolutionCo.,Ltd.宣布，已开发出256MB的SLCNAND快闪记忆体，并声称这是以该公司自有的设计技术为基础所开发。新元件已于今年年初量产，首先瞄准中国、韩国...

韩国无晶圆半导体厂(Fabless)ATOSolutionCo.,Ltd.宣布，已开发出256MB的SLCNAND快闪记忆体，并声称这是以该公司自有的设计技术为基础所开发。新元件已于今年年初量产，首先瞄准中国、韩国和日本等亚洲市场。该公司还计划今年第一季再推出512MbSLC低密度产品线。

ATO这是首家推出NAND快闪记忆体的无晶圆厂，因为目前业界并没有专门提供NAND快闪记忆体代工的制造厂。ATOSolution的发言人表示，新的NAND记忆体采用了该公司独特的周边设计技术，因而能微型化产品，并大幅提高了成本竞争力。

与32GB、64GB等高密度产品线不同，ATO目前主打的低密度产品线主要是用来取代手机、液晶电视(LCDTV)和机上盒(STB)等设备中，用于储存程式码的NOR记忆体。该市场规模预估可达30亿美元，占总NAND市场的10%。

ATOSolution计划将新产品纳入其当前的主力多晶片封装(MCP)产品线之中(即在单一封装中整合NAND和DRAM晶片)，并瞄准手机和家电制造商。

ATOSoltionCEOChrisPark认为，高品质、低成本将会是该公司和重心放在高密度NAND之IDM大厂的最主要区隔。他表示，ATO将能在低密度NAND快闪记忆体市场找到立足之地，其产品将能与现有的MCP业务良好互补。据表示，ATO今年的销售目标是6,200万美元。

此外，ATOSolution还打算今年内推出新的SPI(串列周边介面)产品，新产品将以NAND快闪记忆体单元阵列技术(NANDFlashCellArray)为基础。据称这种新元件将可用来取代笔电中通常使用NORFlash的ROMBIOS应用。

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