加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2007 年 12 月 4 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。
    
      这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5A 的电流以驱动高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 电流以驱动低端 MOSFET，非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4444 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 1000pF 负载时，高端 MOSFET 的 8ns 快速上升时间、5ns 下降时间和低端 MOSFET 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以最大限度地缩短死区时间，同时防止高端和低端的 MOSFET 同时导通。
    
      LTC4444 为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号的电平从内部被移位到自举电源，这可能在比地高 114V 时正常工作。另外，这个器件在 7.2V 至 13.5V 的范围内驱动高端和低端的 MOSFET 栅极。
    
      LTC4444EMS8 和 LTC4444IMS8 都采用耐热增强型 MSOP-8 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.69 美元。
    性能概要：LTC4444
    
     ·高速/高压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    
     ·100V 最大电源电压
    
     ·高驱动电流：提供 3A 电流，采用 0.55Ω 吸收电流
    
     ·7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压
    
     ·自适应贯通保护
    
     ·驱动 1000pF 负载时，高端栅极 8ns 上升时间和 5ns 下降时间
    
     ·驱动 1000pF 负载时，低端栅极 6ns 上升时间和 3ns 下降时间
    
     ·欠压闭锁用于提供栅极驱动电压
    
     ·耐热增强型 MSOP-8 封装