据UMC网站报道，联电与英国ARM公司6月4日共同宣布，使用ARM公司的ARM SOI设计单元资料库的测试晶片，已经成功的在联电65nm制程上进行设计定案。这项测试晶片由一组ARM公司的实体IP所组成，采用标准元件设计单元资料库，输入/输出设计单元资料库以及单埠SRAM编译器。联电这项设计定案的成功，代表主流制程采用纳米SOI技术又跨出了下一步。此项技术为了追求复杂系统单芯片上更佳的速度与功率表现。

  联电公司多年来研发SOI技术，这项技术则是始于2006年1月联电与SOISIC公司策略合作开始。2006年10月ARM公司并购SOISIC公司并与SOISIC合作，并延续与联电的合作，开始为CMOS制程提供SOI设计单元资料库与多样化实体IP。为了协助联电在现有的65nm CMOS L65SP制程外衍生出SOI版本，ARM公司提供了所需的特定模組以研发并验证这项制程，其中包括了设计规则、元件的电子产品特性分析与电路模拟模型。

  联电市场部部总裁Lee Chung表示，我们对于这次合作的结果感到很满意，这让我们成为第一个研发并提供65nm SOI解决方案的晶圆代工厂，我们运用ARM公司在设计支援方面强大的恶SOI专业知识，结合我们量产的65nm制程，能快速的开发并且将SOI制程推出上市。我们期待尽快将这项极具竞争力的技术提供给我们的客户使用。

  ARM公司的实体IP行销副总Tom Lantzsch表示，目前市场上整合元件厂对SOI技术所能提的效能需求非常强劲，我们预期联电提高的这项新制程，将能使无晶圆厂设计公司的领导者使用SOI技术并且开始进行实验性的计划。我们的下一步将是扩展提供的内容，将其延伸到更先进的制程节点，并且推出与这个方案类似的完全晶圆代工计划至大宗COMS制程领域。

来源：半导体国际