（华强电子世界网讯）国际整流器公司（IR)，推出全新的IRF7335D1型双FETKY器件，把两个N信道MOSFET及一个肖特基二极管，组合于单一SO-14封装，载电效能远超市场上同类双MOSFET-肖特基组合封装方案，亦较IR早前推出的IRF7901D1器件提供高出四成的电流。
    
     相比于同类离散式电路方案，IRF7335D1可节省高达六成空间。该器件特别为标准12V输入和5V、3.3V及1.7V输出的11A同步降压转换器电路而设计，适用于笔记本和桌面计算机、游戏机控制板及互联网设备。组合式封装既能简化电路布置、降低封装和组装成本，也可提高功率密度、简化产品采购的物流程序。
    
     IRF7335D1内两个MOSFET经过个别优化，可提供控制及同步切换功能。同步MOSFET的导通电阻极低，可减低传导损耗。控制MOSFET的整体栅电荷和栅漏电荷均较低，可减少切换损耗；击穿电压更额定于30V，能安全处理输入电压尖峰。内置式肖特基二极管的正向电压降较低，能支持高速和高效率切换。
    
     全新双FETKY器件已有供应。以一万件订货量计算，SO-14封装器件的单价为1.25美元。