（华强电子世界网讯）NTT日前成功开发出了光通信传输速度达100Gbit/秒的IC。分别是嵌入光发送器中使用的多路复用器IC和嵌入光接收器中的多路信号分配器IC。采用的是InP技术和HEMT结构。该公司实际观测到了10Gbit/秒的电信号眼图。从IC的工作速度来看，创历史最高记录。该公司将在2002年12月8日～11日于美国加利弗尼州旧金山召开的“International Electron Devices Meeting（IEDM，国际电子元件会议）”发表（演讲序号＃4.7）。在过去的报告中，最高记录是富士通研究所发表的支持90Gbit/秒的多路复用器IC（采用InP技术和HEMT结构）和美国Inphi公司公布的支持80Gbti/秒的多路信号分配器IC（采用InP技术和HBT结构）。
    

      此次试制出的HBT结构的IC栅极长100nm，截止频率（fT）为200GHz。在开发高速光通信IC的过程中，NTT成功地开发出了通过减小高速运行下晶体管性能的不稳定性而进行集成的技术。具体来说，就是将整个晶圆的晶体管均匀地做成晶体管的通道部分呈“凹陷结构”。为了提高耐压性，就在通道部分的InP底板上挖出凹陷结构。不过由于以相同的深度挖出凹陷结构的加工过程难以控制，因此就面临一个为了制作IC而集成大量高速晶体管时其性能不稳定的课题。因此尽管过去也有不少提高了单个晶体管截止频率的报告，但由于凹陷结构的不稳定性而难以进行IC制作。NTT此次则采用具有被称为“Etch Stopper”层的InP底板来制作HEMT，从而控制了凹陷结构的不稳定性。“在InP底板中使用Etch Stopper技术方面，NTT已经拥有相关专利，此次是首次应用这种技术。这一点正是有别于过去其他公司的特点”（NTT）。此次通过集成数百个高速晶体管制作出了多路复用器IC和多路信号分配器IC。
    
      如果配合使用半导体激光器和外部调制器，就能够在NTT开发的多路复用器IC中形成光发送器。NTT同时还在推进外部调制器的开发，目前已经试制出了支持80Gbit/秒的EA调制器。另外，如果在此次开发的多路信号分配器IC中嵌入光接收元件和均衡放大电路和CDR电路，就能够形成支持100Gbit/秒的光接收器。