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Hamamatsu的GaAs光电二极管阵列能以低偏置响应

来源:http://news.hqew.com/info-122925.html 发布时间:2002-11-07

摘要: (华强电子世界网讯)Hamamatsu公司的G8921-01 GaAs光电二极管阵列能以低偏置电压实现高速响应,暗电流和电容小。该设备采用四元件阵列设计,适用于高速光数据链路及其它光通信产品。&nbsp...

    (华强电子世界网讯)Hamamatsu公司的G8921-01 GaAs光电二极管阵列能以低偏置电压实现高速响应,暗电流和电容小。该设备采用四元件阵列设计,适用于高速光数据链路及其它光通信产品。
    
     这种光电二极管阵列每个通道的响应速度为2.5Gbps,总响应速率达10Gbps。当偏置电压仅为2V时可产生高速响应。G8921-01的暗电流为2pA,终端电容为0.35pF。该阵列的谱响应范围在470nm至870nm之间,850nm时的最高灵敏度为0.5A/W。
    
     该阵列的有效区域小,每个通道仅为0.06 mm,元件间距为250 mm。除了这种标准四元件阵列外,Hamamatsu还可将G8921-01设计为16个元件的器件以满足特定客户的需求。这种表面安装器件的大小为6.4×2.3×1mm。批量订购时,G8921-01从38.10美元起售。
    

(编辑 Rita)

    
    
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