（华强电子世界网讯）富士施乐公司中央研究所的基础研究室日前成功试制出了使用碳纳米管（CNT）及DNA（脱氧核糖核酸）分子的纳米级别的电子元件，并使用自主开发的“纳米检测器”的评测技术对其基本特性进行了测试。
    
      该公司试制的是使用直径100nm左右的环状单层CNT（SWCNT,单层碳纳米管）的晶体管（图1）和将1个DNA分子作为晶体管的元件（图2）。碳纳米管与原有的硅元件的兼容性很好，优于DNA分子与蛋白质等生物分子之间的兼容性。而且，此次该公司同时还确认了CNT与DNA分子兼容性良好，基础研究室主任清水正昭先生表示,“通过上述两种元件的配合使用，有望开拓出融IT（信息技术）与BT（生物技术）为一体的全新业务领域”。
    
      此次试制的SWCNT环状晶体管的源极和漏极为连接在硅底板上的2根多层CNT（MWCNT）电极。同时在底板内侧制备出了金属薄膜栅极。
    
      测试证实,一旦直径小于200nm，SWCNT环状晶体管就会表现出p型半导体的特性。虽然SWCNT环是通过超声波作用于SWCNT加工而成，但其直径分布范围很广，介于20nm～1μm之间。不过，通过离心分离法，可以轻松地将直径较小的SWCNT环区分出来。
    
    这种晶体管使用的MWCNT(多层碳纳米管)电极应用了该公司开发的、使用3根CNT电极的纳米检测器的技术。通过纳米检测器，可以在直径100nm左右的玻璃毛细管（Glass Capillary）的表面沿纵长方向形成金-铬合金的导线，并在这一位置将2根MWCNT贴成V字形。将此作为待测试的对象--纳米级物质，然后再比照位于原子力显微镜（AFM）探针尖上的SWCNT，对电流-电压特性等进行测试。
    
      同时还使用纳米检测器测试了单DNA分子晶体管的特性。在放置于云母底板上的DNA分子上连接2根呈钳子状的MWCNT电极，作为源极和漏极、并源极与漏极间接上SWCNT电极，作为栅极进行了测试。当源极与漏极间的间隔在10nm以下时，就会表现出半导体特性。至于呈p型还是n型，则根据盐基排列而定。
    
      目前，无论是SWCNT环还是DNA分子，只不过是证实了具有晶体管的基本特性而已。今后，富士施乐公司除了继续提高基本特性外，将致力于开发出适于量产的技术。