(华强电子世界网讯)瑞萨科技公司近日发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品发货。
    
     与瑞萨科技先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。
    
     HAT1125H是P沟道功率MOSFET，具有–30 V漏源击穿电压和–4.5 V栅压。通过使用很好的工艺，改进并优化了元胞结构密度，从而可以达到2.7 mΩ (典型值)的导通电阻，与瑞萨科技目前的HAT1072H相比，大约减小了25%。它是业界导通电阻最低的SOP-8尺寸小型表面安装封装产品，提高了系统的输出效率。为了达到更低的电阻，很多系统并联使用多个功率MOSFET；在这些系统中使用HAT1125H，可以减少使用的功率MOSFET的数量、减小安装面积。
    
     使用的封装形式是与先前型号相同的LFPAK SOP-8尺寸小型表面安装封装，由于使用无引线结构，使得引线引起的电阻、电感最小。
    
      计划生产一些其它型号，包括–20 V击穿电压型号、-2.5 V栅压产品、以及一个SOP-8封装中包括两个元件的型号，用于小电动机驱动等广泛应用。