（华强电子世界网讯）SiS、Samsung、ASUS和Rambus宣布联合开发下一代基于RDRAM的芯片组SiSR659，该芯片组将用于高性能计算和多媒体游戏市场。
    
     R659芯片组将是SiS系列第二代RDRAM产品，该芯片组驱动四个通道的1200MHz RDRAM存储器，存储器带宽9.6GBps。据称，R659芯片组比双通道DDR芯片组的性能高50%。它以更快的响应时间和高达16GB的存储容量实现更高性能的结构提高。
    
     该芯片采用标准的RIMM模块，它将SiSR659和SiS964南桥结合在一起，SiS964南桥集成了多达8个端口的USB 2.0和Serial ATA性能。今年第三季SiSR659样品将面世。