东芝半导体与储存产品公司今宣布推出领先业界之全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品，其具备低导通电阻和高速之优良表现， U-MOS9系列MOSFET产品阵容提供更多样化产品选择，以满足製造商各式需求。回应市场期待与需求，系列产品即日起开始出货。

  此MOSFET新品利用东芝低电压最新世代沟槽结构之U-MOS九代製程以达到领先业界[1]的低导通电阻及高速表现，其全新结构有效降低“RDS(ON) * Qsw[2]，藉由降低输出电荷以改善输出时所产生之损耗，有助提高产品效率;此外，全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃，有效降低电磁干扰，此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品[3]。全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET系列有13个40V与5个45V产品是专为工业及消费性产品应用所设计，包含：高效率直流-直流转换器、高效率交流-直流转换器，电源供应器和马达驱动器。

  全新MOSFET产品阵容主要特性与规格

  【主要特性】

  ·领先业界[1]低导通电阻

  RDS(ON)= 0.80 mΩ (max) @VGS= 10V (TPWR8004PL)

  RDS(ON)= 0.99 mΩ (max) @VGS= 10V (TPW1R005PL)

  ·低输出电荷

  ·高速表现

  ·低切换杂讯

  ·提供4.5V逻辑準位驱动