英飞凌科技集团 旗下的 IR HiRel 公司推出第一款採用专属 N 通道 R9 技术平台的抗辐射 MOSFET。相较于先前的技术，在尺寸、重量、功率上都更加精良。这对于如高传输量卫星系统的应用而言非常重要，可大幅降低其每位元价格比 (cost-per-bit-ratio)。这款 100 V、35 A 的 MOSFET 非常适用于年限高达 15 年以上的应用，包括太空等级直流对直流转换器、中间匯流排转换器、马达控制器及其他高速切换设计等。

  由英飞凌 IR HiRel 事业体开发的 IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 具备完全抗 TID (总游离剂量) 的功能，抗辐射性分别为 100 kRad 及 300 kRad，25 mΩ 的 RDS(on) (典型) 比前一代装置低 33%，结合了强化的汲极电流能力 (从 22 A 提升到 35 A)，使 MOSFET 在切换应用上能够增加功率密度，降低功率损失。

  英飞凌 IR HiRel为太空艰难任务应用提供强化抗辐射 MOSFET 系列产品。IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130採用密封、轻量、表面黏着陶瓷封装 (SMD-0.5)，也提供裸晶类型。

  这款 MOSFET 已提升抗单粒子事件效应 (SEE) 能力，并具备高达 90 MeV/(mg/cm2) 的直线能量转移 (LET) 实用效能，比前一代高出 10% 以上。两款新装置均採用密封、轻量、表面黏着陶瓷封装 (SMD-0.5) 技术，尺寸仅 10.28 mm x 7.64 mm x 3.12 mm，也提供裸晶类型。