Mikroe EXPAND 5 Click具有一个低压24位I 2 C和SMBus I / O扩展器，可通过I2C串行接口为大多数微控制器提供通用远程I / O。该电路板具有德州仪器（TI）的TCA6424A，并在1.65V至5.5V的电源电压范围内工作。

Littelfuse宣布采用DO-214AB封装的新系列高浪涌TVS二极管产品。该8.0SMDJ系列设计用于保护敏感电子设备免受由雷击等电压事件引起的瞬态电压。在紧凑的DO-214AB SMC封装中，它可以组合高达8000W的峰值脉冲功率消耗，二极管的功能在下面列出

SRV05是低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列专门用于保护连接到传输线和数据线从由静电放电引起，电动快速瞬变和雷电过电压敏感的半导体组件。SRV05的工作电压为5V。

Vishay Intertechnology，Inc.在eSMP系列MicroSMP（DO-219AD）封装中推出了200V Fred Pt超快恢复整流二极管，可提供高达2A的额定电流。1A VS-1EQH02HM3 和2 A VS-2EQH02HM3都提供了SMA整流器的节省空间的替代产品，尺寸为2.5mm x 1.3mm，扁平为0.65mm，并且也有商业版本。

USBLC6是单片应用专用TVS二极管阵列专用于高速接口，诸如USB2.0，以太网链路，和视频线的ESD保护。USBLC6的漏电流极低（最大值为150nA），使其非常适合电池供电的设备。

东芝电子设备公司已开始出货两种用于ESD保护的低电容TVS二极管（DF2B5M4ASL，DF2B6M4ASL），并支持诸如Thunderbolt 3，HDMI 2.1和USB 3.1等高速通信标准。新产品的电容通常为0.15pF，比当前产品低25％。

意法半导体（STMicroelectronics）推出了最新一代的薄型高保护TVS 二极管（瞬态电压抑制），可提供市场领先的功率密度，可在SMB Flat中处理600W和1500W瞬态功率，并在仅1.0mm高的SMA Flat封装中处理400W和600W 。这些新的1500W SMB Flat封装具有与SMC封装中的常规器件相同的瞬态功率功能。

Mini-Circuits TTC1-33W +射频变压器是一种纤巧的表面安装式传输线芯和线变压器，覆盖4.5MHz至3000MHz的宽频率范围。变压器的插入损耗低（典型值为1.5dB）。

ROHM宣布推出RBxx8系列产品，这是一系列200V超低IR肖特基势垒二极管（SBD），专为包括动力总成和xEV在内的汽车应用而设计。RBxx8BM / NS200扩展 了SBD 的 RBxx8系列，可实现高温运行，这一点已在日本汽车市场中得到证实。新系列具有超低泄漏电流（IR）特性，可实现200V的高耐压。

Vishay Intertechnology，Inc. 在其TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器配置文件中推出了16种新型肖特基二极管。这些表面贴装的薄型整流器采用紧凑型SMP（DO-220AA）封装，提供2A和3A电流范围。新器件可提供从45V到200V的宽范围反向电压，这种高电压与二极管3A额定电流相结合，可使设计人员提高电路的功率密度。这些新型整流器旨在减少用于商业和工业应用的高频逆变器，DC / DC转换器以及续流和极性保护二极管中的功率损耗并提高效率。

P6KE200A是瞬态电压抑制器（TVS）二极管，可通过钳位动作提供高过压保护。它对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合于保护诸如MOS Technology和低压供电IC之类的电压敏感设备。对于P6KE200A二极管，击穿电压范围为190V至210V，钳位电压为246V。

CUI Devices IP67封闭式扬声器提供圆形，方形和矩形外壳。这些封闭式扬声器的输入功率为1W，1.5W和2W，在10cm处的SPL为89至106dB。IP67防护等级的封闭扬声器提供4Ω或8Ω阻抗，并具有钕铁硼（NdFeB）磁体

SMBJ12CA是瞬态电压抑制二极管，用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压的影响。对于SMBJ12CA二极管，击穿电压为13.3 V，钳位电压为19.9V。