安森美半导体NCP51705迷你SMD评估板设计在四层PCB上，包括NCP51705驱动器和所有必要的驱动电路。NCP51705驱动器旨在主要驱动SiC MOSFET晶体管，以实现最低的传导损耗。

Semtech SX1280ED1ZHP开发电路板使用在2.4GHz ISM频段工作的专有协议栈评估LoRa Basics调制解调器。SX1280ED1ZHP开发电路板非常适合在物流和运输中使用。

Semtech公司SX1280Z3DSFGW1开发工具包提供了一个洛拉完整的解决方案基础调制解调器的2.4GHz。该网关参考设计基于多个SX1280收发器，这些收发器允许同时通过三个LoRa调制通道进行接收。

ON Semiconductor NTB004N10G N沟道功率MOSFET是雪崩能量指定的，采用D2PAK封装，具有201A（I D），100V（V DSS）N沟道增强模式MOSFET。

瑞萨电子ISL78263冷启动升压和降压控制器是一款双控制器设备，支持两个DC-DC通道，升压和降压，每个通道都支持多种配置。通道1用作降压转换器，可以配置为固定的3.3V，固定的5.0V或0.8V至5.0V的可调输出电压

安森美半导体NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET具有150V的漏源电压（V （BR）DSS）和低开关噪声/ EMI。这些器件具有低Q G和电容，以最大程度地减少驱动器损耗，而低R DS（on）则 可以将传导损耗最小化。

Mini-Circuits PHA单片和MMIC放大器是使用E-PHEMT技术制造的高级宽带双放大器。该器件可在宽频率范围内提供极高的动态范围，并具有出色的增益平坦度。

CUI Devices UJC Power-Only USB Type C插座专门设计用于仅电源应用。这款6针USB C型插座采用表面贴装封装，额定电流为3A，额定直流电压为20V

Knowles / Voltronics V2888高压无磁微调电容器具有2.5pF至70pF的电容范围，在70pF时具有3000V 直流工作电压，在70pF时具有6000V 直流耐压。

WeEn Semiconductors BYC30Y-600P超快功率二极管具有低泄漏电流，低反向恢复电流和2引线IITO220塑料封装的特点。该功率二极管减少了相关MOSFET或IGBT中的开关损耗

Diodes Incorporated AP64350Q同步降压转换器是一款符合汽车标准的3.5A器件，可提供3.8V至40V的宽输入电压范围。AP64350Q转换器完全集成了一个75mΩ高端功率MOSFET和一个45mΩ低端功率MOSFET，以提供高效的降压DC-DC转换。

Vishay Intertechnology通过八个新的100V和200V整流二极管来扩展其超快整流器产品系列。所述VS-2EYH0x和VS-3EYH0x系列被包装在eSMP?系列（DO-221AD）封装具有低0.9毫米轮廓。新器件的占位面积与常见的SOD-128二极管兼容，并且引线宽度比细长SMA中的器件大，从而提高了可靠性。

具有使能功能的Diodes Incorporated AP7348低噪声低压降（LDO）具有高输出电压精度，低RDS（ON），高PSRR和低静态电流的特点。该调节器使用两个电压基准，四个通道（每个通道具有一个误差放大器，折返电流限制和一个放电电路）确定输出电压。