ON Semiconductor NTB004N10G N沟道功率MOSFET是雪崩能量指定的，采用D2PAK封装，具有201A（I D），100V（V DSS）N沟道增强模式MOSFET。该MOSFET在10V R DS（on）下具有4.2mΩ的低电阻，提供了可靠的耐用技术，并且具有比标准MOSFET优异的SOA曲线热插拔能力。NTB004N10G MOSFET专为来自48V总线的广泛SOA应用而设计，其中包括48V电信设备，48V热插拔和48V服务器设备。其他典型应用还包括转换器和电源。

NTB004N10G N沟道功率MOSFET特征

指定雪崩能量

坚固的技术可提供最高的可靠性

专为48V总线的广泛SOA应用而设计

耐热插拔，具有比标准MOSFET更高的SOA曲线

减少传导损耗

201A高电流能力，100V V DSS和低4.2mΩ@ 10V R DS（on）

提供无铅封装

符合RoHS

NTB004N10G N沟道功率MOSFET应用领域

转换器

电源

48V热插拔

48V电信设备

48V服务器设备

NTB004N10G N沟道功率MOSFET引脚功能图