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今年6月14日消息,据台湾DigiTimes消息,近日有市场传闻称,长江存储将跳过原定192层3D NAND技术,直接挑战 232层3D NAND,并有望于2022年底量产。
5月19日消息,根据市调机构集邦科技最新发布的报告显示,2022年第一季全球DRAM内存芯片总产值季减4.0%,达240.35亿美元。下滑的主要原因在于市场通膨加剧与需求减弱,加上俄乌战争于2月底爆发,都影响终端消费表现。同时,客户端的库存水位持续提升,故消化库存为首要目标。由于整体拉货动能不振,各类DRAM产品价格因此下滑,导致第一季整体DRAM营收下滑。
近日,存储芯片大厂美光(Micron)发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上,预计在 2022 年底左右开始量产。
2月17日消息,继日前西部数据(Western Digital)与铠侠(Kioxia)位于日本两座NAND Flash闪存工厂因原料污染而导致停产之后,2月14日,西部数据向客户发布通知,宣布立即上调所有Flash产品价格,涨幅未知。2月17日,据外媒报道,美光已通知客户 NAND 芯片合约、现货价上涨。
1月28日消息,对于联电及员工被控协助福建晋华窃取美光专利技术案件,台湾智慧财产及商业法院昨(27)日作出判决,二审智慧财产及商业法院宣判,原一审判决撤销,改轻判联电罚金2,000万元新台币,缓刑两年,罚金远低于先前台中地院一审的1亿元新台币。另外,改判联电员工戎乐天无罪及公诉不受理、何建廷及王永铭各判 1年、6月徒刑,两人均缓刑。
今天最新消息,全球存储芯片巨头美光发布公告称,其计划将在未来十年里投资超过1500亿美元,用于先进存储芯片的生产和研发。当然,也包括潜在的扩大晶圆厂产能计划。实际上,稍早前,昨日在日本方面已有相关消息走漏,美光计划在日本广岛新建一座DRAM
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