今年6月14日消息，据台湾DigiTimes消息，近日有市场传闻称，长江存储将跳过原定192层3D NAND技术，直接挑战 232层3D NAND，并有望于2022年底量产。

5月19日消息，根据市调机构集邦科技最新发布的报告显示，2022年第一季全球DRAM内存芯片总产值季减4.0％，达240.35亿美元。下滑的主要原因在于市场通膨加剧与需求减弱，加上俄乌战争于2月底爆发，都影响终端消费表现。同时，客户端的库存水位持续提升，故消化库存为首要目标。由于整体拉货动能不振，各类DRAM产品价格因此下滑，导致第一季整体DRAM营收下滑。

近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。

2月17日消息，继日前西部数据（Western Digital）与铠侠（Kioxia）位于日本两座NAND Flash闪存工厂因原料污染而导致停产之后，2月14日，西部数据向客户发布通知，宣布立即上调所有Flash产品价格，涨幅未知。2月17日，据外媒报道，美光已通知客户 NAND 芯片合约、现货价上涨。

1月28日消息，对于联电及员工被控协助福建晋华窃取美光专利技术案件，台湾智慧财产及商业法院昨（27）日作出判决，二审智慧财产及商业法院宣判，原一审判决撤销，改轻判联电罚金2,000万元新台币，缓刑两年，罚金远低于先前台中地院一审的1亿元新台币。另外，改判联电员工戎乐天无罪及公诉不受理、何建廷及王永铭各判 1年、6月徒刑，两人均缓刑。

今天最新消息，全球存储芯片巨头美光发布公告称，其计划将在未来十年里投资超过1500亿美元，用于先进存储芯片的生产和研发。当然，也包括潜在的扩大晶圆厂产能计划。实际上，稍早前，昨日在日本方面已有相关消息走漏，美光计划在日本广岛新建一座DRAM