7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

近日，全球领先的半导体解决方案供应商美光科技（Micron Technology）宣布，已经开始批量生产HBM3e内存。这一消息标志着美光在全球高性能计算领域取得了重要突破，进一步推动了高性能计算技术的发展。

事实上，大型的芯片厂商似乎已预见这些风险。英伟达预估，核心业务全年跌幅将超过40%；美光也警告，许多领域的需求正在降温。对此，花旗集团分析师丹利（Christopher Danely）预计，半导体产业将遭遇10年，甚至20年来最严重的衰退，影响范围涵盖每一家公司和每一类芯片。

近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。

日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。

最新消息，全球领先的半导体企业 Micron （美光科技股份有限公司）今日宣布，计划在未来数年中对它位于中国西安的封装测试工厂投资超 43 亿元人民币

7月12日消息，据美光官方消息，当地时间7月8日，美光位于日本广岛的DRAM工厂受恶劣天气影响，工厂突发停电，而且停电时间较长，目前工厂人员均安全。据了解，停电对于美光DRAM生产设备造成了一定的影响，部分生产设施被关闭，近日已开始恢复，但只能恢复到较低水平，本周还会继续恢复

今年6月14日消息，据台湾DigiTimes消息，近日有市场传闻称，长江存储将跳过原定192层3D NAND技术，直接挑战 232层3D NAND，并有望于2022年底量产。

近年来，随着全球经济的发展和科技的进步，半导体产业成为各国争相发展的重点领域。作为全球领先的存储器制造商，美光科技一直致力于扩大产能，满足市场需求。近日，美光科技宣布将在马来西亚再投资 10 亿美元，建设第二家工厂，引发业界广泛关注。

近日，全球半导体行业巨头三星、SK海力士及美光纷纷宣布，计划在2024年上半年提高稼动率，加大产能扩张力度。这一举措预示着全球半导体产业将迎来新一轮的增长潮，为全球经济发展注入新活力。

近日，IBM、美光等全球芯片产业巨头宣布将与纽约州政府合作，共同投资100亿美元在美国纽约州共建芯片园区。该园区将引进全球最先进的EUV光刻机，推动全球芯片产业的创新和发展。

最新消息，美国加州公告指出中国最大3D NAND Flash厂商长江存储，正向控告美国存储芯片龙头美光（Micron）及其全资子公司美光消费产品集团，侵犯长江存储8 项3D NAND 美国专利。