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碳化硅HEMT上的单路离散gan在塑料模具DFN包。
宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及...
Nexperia PIMP32 PNP/PNP双晶体管是配备电阻器的双晶体管 (RET ),具有500mA输出电流能力。这些双晶体管具有内置偏置电阻器,其中R1为2.2kΩ,R2为10kΩ。PIMP32双晶体管采用小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP...
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
Diodes为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管,以及30V额定值的P通道器件,产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm,比一般采用DFN1006 (SOT8...
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意法半导体(ST)推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间,并可提高应用性能及降低设备成本。经制程升级后,意法半导体最新的射频功率MOSFET晶体管可承受高达200V的峰值电压,比同类竞争产品高20%以上。更高的耐用性可有效延长功率晶体管的使用...
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新的低输入电流型晶体管输出光电耦合器系列,这个新系列可以保证在低输入电流条件下实现高电流传输比。“TLP182”和“TLP183”将采用SO6封装,“T...
Fox Electronics Asia Ltd.发布专为满足千兆位以太网 (GbE) 和10GbE应用需求而设计的全新XpressO振荡器系列。Fox Electronics Asia Ltd. 和Fox Electronics EMEA副总裁兼常务总经理Herb Chaney 表示:“Fox ...
由于晶体管制造的复杂性,每代晶体管制程针对不同用途的制造技术版本,不同厂商的代次间统计算法也完全不同,单纯用代次来比较并不准确。
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN晶体管评估板演示了375W分立GaN在SiC hemt上的能力,工作范围从直流到2GHz。
2014年4月10日,英飞凌科技股份公司今日宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz—1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降低系统成本,提高可靠性。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲...
本文主要介绍了光电耦合器测试电路图大全(光敏晶体管/驱动管/发光二极管)。光电耦合器运用广泛,依据光电耦合器特性,设计一个方便的测试光电耦合器电路,该电路简单、准确,使用方便。电路原理:当电源接通后,LED不发光。按下S2,LED会发光。调RP,LED的发光强度会发生变化,说明光电耦合器是好的。印刷电路板图如下图,电池采用3V纽扣电池,电池安装在印刷板的铜箔面,用铜片扣住并焊稳即可。
晶体管是一种常见的固体半导体器件,具有低成本,灵活性和可靠性的特性。它可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。下面小编将为大家介绍一下晶体管是如何进行分类的,及它的分类方式和类别详解。
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