Alliance Memory AS4C64M32MD1A-5BIN 2Gb LPDR SDRAM是一个由4个银行x 16M x 32组成的移动DDR DRAM。AS4C64M32MD1A-5BIN SDRAM是为高性能和低功耗工作而设计的...

功能自动刷新和自刷新模式和双向数据频闪每字节的数据(DQS)。

Alliance Memory J3系列Numonyx 嵌入式闪存利用高质量和可靠的基于nor65nm技术提供改进的性能和安全特性。这些闪存提供75ns的初始访问速度，25ns 8字异步页面模式读取，以及1.41μs /字节的有效编程时间。J3闪存功能增强的安全选...

Alliance Memory P30微米并行NOR闪存嵌入内存在更小的空间提供更大的密度，高速接口设备，并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项和三种行业标准包选择。p30nor闪存嵌入式存储器设备...

Alliance Memory的AS4C128M16D2高速CMOS DDR2 SDRAM具有高速数据传输速率，系统频率高达400 MHz

Alliance Memory AS4C256M16D4和AS4C512M8D4 4GB DDR4 sdrm在96球和78球FBGA包中提供低功耗和快速的数据传输速率。这些4GB的高速sdram将操作电压从1.5V降低到1.2V(±0.06V)，从而提高了便携式电...

Alliance Memory低功耗sdram是高性能CMOS动态ram (DRAM)，具有64ms刷新周期(4K周期)。这些器件具有先进的电路设计，以提供低的有功电流和极低的待机电流。低功耗特性包括自动温度补偿自刷新(TCSR)、部分阵列自刷新省电模式、深...

具有高级的写保护机制，可通过高速spi兼容总线访问。

Alliance Memory MT41x DDR3 sdram使用双数据速率体系结构，接口在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。MT41x DDR3的双数据速率架构采用8n预取架构，实现高速运行。这些sdram从CK和CK#差分时钟输入进行操作。MT41x ...

将高达133MHz的快速读取性能与快速程序和擦除时间相结合的内存设备。

Alliance Memory DDR2 SDRAM是按照DDR2 SDRAM的关键特性设计的。一些特性，比如带有附加延迟的发布CAS#、写延迟=读延迟-1和死后终止(ODT)。所有的控制和地址输入都用一对外部提供的差分钟同步。输入锁存在差...

Alliance Memory M45PEx NOR闪存设备是具有字节可变性和75MHz SPI总线接口的页可擦串行闪存。这些内存设备可以通过高速spi兼容总线访问。M45PEx NOR flash利用页写或页程序指令一次写或程序1字节到256bytes。页写指令...

AS29CF040-55CCIN并行闪存是一种5V内存组织为524,288字节的8位。该闪存将512KB的数据划分为4个扇区，提供了灵活的扇区擦除能力。AS29CF040-55CCIN闪存使用引脚I/O (0) I / O (7)用于数据和...

Alliance Memory AS29CF010-55CCIN统一扇区闪存是一种5V内存，组织为131072字节，每个8位。该闪存将128KB的数据划分为4个扇区，具有灵活的扇区擦除能力。AS29CF010-55CCIN闪存使用引脚I/O (0) I / O (...