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旨在最大限度地减少功率损耗,提高高要求应用的性能。
通过AEC-Q101认证,确保汽车级可靠性。
高功率保护二极管设计在高瞬态电流下提供保护。
100V,符合aec - q101标准的MOSFET,采用低RDS(on)的d2pak - 7l封装。
通过AEC-Q101认证,旨在重新定义汽车应用中的功率效率和可靠性。
利用AEC-Q101认证和SGT技术实现效率和可靠性。
采用28毫欧低导通电阻设计,采用TO-247-4封装,带开尔文源引脚。
采用分栅沟槽MOSFET技术的AEC-Q101合格n沟道MOSFET。
拥有完整的AEC-Q101资格和5pF至6pF的超低电容范围(典型)。
分门沟槽MOSFET技术,性能优越。
通过自动光学检测功能提高质量和效率。
小信号20V双n沟道MOSFET精心设计的高速开关。
AEC-Q101合格n沟道MOSFET采用分栅沟槽技术,RDS(on)仅为11毫欧。
设计用于保护单个高速信号数据线,采用0201-A封装。
内置预偏电阻与50V供电电压可在SOT-323封装。
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