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逻辑级兼容,快速切换,并在175°C下完全符合AEC-Q101标准。
设计用于将SIM卡与单个低压主机端接口连接。
安派瑞的碳化硅mosfet具有非常快速和坚固的本禀体二极管,具有低正向电压。
提供具有低电感/开关损耗和高可靠性的铜夹封装技术。
1位反转缓冲区/线路驱动器,具有3状态输出,适用于混合3.3V和5V环境。
Nexperia是汽车以太网开放联盟兼容ESD保护的先驱
通用肖特基二极管的正向电流为0.2A,反向电压≤30V,正向电压较低。
具有非常低的正向电压和支持夹键技术,允许高功率能力。
设计用于具有低阈值电压和沟槽MOSFET技术的快速开关。
Nexperia的NextPower mosfet非常适合电力供应、电信和工业设计
45V 100mA aec - q101合格晶体管是通用开关和放大的理想选择。
基于夹键技术,提供非常低的正向电压和高功率能力。
Nexperia的Trench 9功率mosfet主要针对汽车行业,将低压超结技术与先进的封装能力相结合,提供高性能和坚固性。
Nexperia的高效25 V, 30 V和40 V mosfet与SchottkyPlus体二极管提供低峰值和低IDSS泄漏
与D²PAK相比,Nexperia的mosfet提供了高达60%的空间节约效率
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