电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城,随时随地采购
半导体行业观察第一站!
专注电子产业链,坚持深度原创
电子元器件原材料采购信息平台
特点快速恢复时间(Trr),有效整流在电子应用。
具有高开关速度和低门极电荷。
PANJIT的晶圆技术使gen2 SGT mosfet能够产生低栅极电荷,以最大限度地减少传导损失,创造出色的FOM。
具有独特的外延结构和最大反向恢复时间为35ns。
提供160V集电极-发射极电压(VCE)和600mA集电极电流(IC)额定值。
PANJIT的ESD保护装置可保护敏感设备免受ESD闭锁事件的影响。
PANJIT的第一代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师开发的,用于设计性能更高、散热更低的系统。
为印刷电路板设计的玻璃钝化整流器。
60V和特别设计的继电器驱动器和高速线路驱动器。
提供高效率和高浪涌电流能力。
在SMB封装中提供低正向电压、高电流能力和低漏电流。
PPJA3439-AU P-Ch增强模式mosfet为60V,专为继电器驱动和高速线路驱动而设计。PANJIT PPJA3439-AU mosfet是AEC-Q101认证的,使用先进的沟槽工艺技术。PPJA3439-AU P-Ch增强模式m...
基于恒定关断时间/PSM控制器拓扑使用内部同步整流器。
专为在宽电压范围内使用单一电源而设计。
具有低正向压降和低功率损耗的特点。
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308
登录
请问您是:
采购商 工程师 在校学生 其他
您希望看到什么内容:
电子资讯 技术文章 PDF资料 电子论文 其他