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在SMAF-C封装中提供低功耗、高效率和高浪涌电流能力。
高精度、低噪声、高速、高psrr和低差CMOS,具有高纹波抑制。
DSN1608-2L封装提供高浪涌电流能力和低正向电压/泄漏电流。
合格的aec - q101电隔离双NPN开关晶体管。
SMA封装具有低正向压降和低漏电流的特点。
利用Trench技术改善产品特性。
特点快速恢复时间(Trr),有效整流在电子应用。
具有高开关速度和低门极电荷。
PANJIT的晶圆技术使gen2 SGT mosfet能够产生低栅极电荷,以最大限度地减少传导损失,创造出色的FOM。
具有独特的外延结构和最大反向恢复时间为35ns。
提供160V集电极-发射极电压(VCE)和600mA集电极电流(IC)额定值。
PANJIT的ESD保护装置可保护敏感设备免受ESD闭锁事件的影响。
PANJIT的第一代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师开发的,用于设计性能更高、散热更低的系统。
为印刷电路板设计的玻璃钝化整流器。
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