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把握趋势,才能掌控未来。全球移动通信的未来,当属5G。不久前CES 2016(美国消费电子展)上,爱立信展示了一台5G终端原型机,实时下载速率显示可达3Gbps,时延小于1ms。5G似乎于我们已不再是那么遥远,然而关于5G的最重要的两个标准即工作频率及调制解调方式却还没有真正出炉,无疑5G技术发展...
Qorvo QPD0007 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)上的单路离散GaN。这些RF晶体管是单级,无与伦比的晶体管,能够在+ 48V工作时提供20W的P 3dB输出功率。
Qorvo QPD0010 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)上的不对称双路径分立GaN。这些RF晶体管是每条路径中的单级放大器晶体管,能够以Doherty配置传递15W输出功率。
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc宣布,推出三款支持DOCSIS 3.1的全新功率倍增器多芯片模块(MCM)--- RFCM3327、RFCM3328和QPB8808。Qorvo最新的功率倍增器MCM放大器为有线宽带服务提供商提供轻松升级至DOC...
Qorvo QPD0007评估板旨在评估单级不匹配QPD0007 GaN RF晶体管的特性和功能。这些RF晶体管是DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管(HEMT),工作在DC至5GHz频率范围内。
Qorvo QPF4588A的5GHz的Wi-Fi 6前端模块被设计用于无线网络连接的6(802.11ax)系统具有小的外形和集成的匹配最小化在应用布局面积。QPF4588A将5GHz功率放大器(PA),单刀两掷开关(SP2T)和可旁路低噪声放大器(LNA)集成到单个设备中。
Qorvo,Inc.推出三款采用低成本塑料封装的 GaN RF 晶体管,这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性,可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。Qorvo 航空航天和国防产品总经理 Roger Hall 表示:“Qorvo 不断扩展低成本 QFN 塑料封装 GaN 的范围,...
Qorvo QPA2962 2GHz至20GHz 10W GaN放大器是一种宽带功率放大器,是基于Qorvo的QSiC15 GaN碳化硅(SiC)工艺制造的。该放大器的工作频率范围为2GHz至20GHz
Qorvo ACT88327电源管理集成电路(PMIC)是一种单芯片集成电源管理解决方案,旨在为各种处理器供电。这些IC与ActiveCiPS技术集成在一起,使其高度灵活,并可以通过I 2 C重新配置为多种应用,而无需更换PCB。
Qorvo QPL1812EVB-01评估板是QPL1812单端放大器的演示和开发平台。QPL1812是一款75ΩCATV放大器,具有19dB的高增益,高线性度以及从50MHz到1800MHz的低失真。
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