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特性:VDSS 60V, ID±2.5A, 91毫欧低导通电阻(RDS(on)), 1W功耗(PD)。
高输出驱动轨对轨输入/输出放大器,具有优异的电磁干扰抗扰性。
特点0.5MSPS至1MSPS采样率范围和输出代码在直接二进制格式。
检测0.9V至5V电压范围,增量0.1V,最高工作温度85℃。
HTSOP-J8封装中带有外部PWM控制的1通道h桥驱动IC。
罗姆的YQ系列100 V肖特基势垒二极管具有低电容,正向电压和绝缘电阻。
为具有高增益和接地传感的工业应用提供长期支持。
具有高可靠性和小功率的模具型,采用硅外延平面结构。
特性40V VDSS,±3.5A ID, 46毫欧低导通电阻(RDS(on)), 1W功耗(PD)。
罗姆半导体的BD9x系列为寻求高效DC-DC降压转换器的设计人员提供了令人信服的解决方案。
罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。
理想的汽车应用直接连接到电池。
双色微型模具表面贴装芯片LED封装乳白色扩散树脂。
采用与系列型号BD62130AEFJ不同的生产线,提高产量。
512Kbit低电流消耗串行eeprom,具有高耐用性和高速写入周期。
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