韩国最大的内存芯片制造商SK海力士最近宣布，全球内存芯片市场的复苏已经开始，尤其是在人工智能领域的需求持续强劲。

近日，据市场最新消息，韩国半导体巨头SK海力士预计内存芯片库存将会下降，而平均售价则将在下半年企稳。

首尔2022年5月30日 / / -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com ）宣布2021年创造的社会价值(SV，Socia...

* 拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月 * HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accele...

韩国存储器半导体领导者SK海力士（SK hynix）今天宣布，已经开始量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM。该产品将首先应用于一加Ace2 Pro智能手机，为用户提供更快速、更低功耗、更高容量的移动体验。

近日，韩国半导体巨头SK海力士在一项公开演示中首次展示了全球首款321层NAND芯片。这一技术突破，标志着SK海力士在存储技术领域的领先地位，并且预示着存储技术即将迈入新的纪元。

韩国首尔2021年11月12日 / / -- SK海力士于11月12日表示，针对车用存储半导体公司成功获取了功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM（功能安全管理，Functiona...

最近有消息称，SK海力士可能会出售尚未完工的中国3D NAND工厂。本文将对此进行进一步分析。

首尔，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）和SK Square宣布，他们将联手投资日本等国的半导体企业，旨在加强其在全球半导体市场的地位。

8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。

8月12日消息，据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。

据韩国媒体报道，SK海力士已经开始向英伟达提供高速HBM3E堆叠内存样品，并且正在积极准备出货。该新闻显示，SK海力正与英伟达联手，共同为下一代高性能计算产品提供更强大的内存解决方案。

最近，SK海力士在全球范围内首次实现了垂直堆叠12个单品DRAM芯片，这标志着SK海力士的技术实力再一次得到了全球的认可和赞誉。

据韩国媒体《中央日报》6月19日报导，数名业界人士批评称，韩国政府的官僚制度拖慢本土半导体建厂速度，其他国家和地区只需3年不到就能建好一座晶圆厂，而在韩国却要花上数年时间等待政府批准，建厂速度明显落后。这对韩国的科技竞争力来说是一大问题，因为快速扩产、满足客户需求的能力，是韩国厂商能否赢得订单的关键。