8月12日消息，据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。

8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。

韩国首尔2021年11月12日 / / -- SK海力士于11月12日表示，针对车用存储半导体公司成功获取了功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM（功能安全管理，Functiona...

近日，韩国半导体巨头SK海力士在一项公开演示中首次展示了全球首款321层NAND芯片。这一技术突破，标志着SK海力士在存储技术领域的领先地位，并且预示着存储技术即将迈入新的纪元。

首尔，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）和SK Square宣布，他们将联手投资日本等国的半导体企业，旨在加强其在全球半导体市场的地位。