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瑞萨电子Renesas推出高性能100V半桥MOSFET驱动器HIP2211和HIP2210

来源:华强商城 发布时间:2020-07-09

摘要: 瑞萨电子Renesas,一家先进的半导体解决方案供应商,推出了一对新的100V半桥MOSFET驱动器:HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子流行的ISL2111桥接驱动器的下一代pin兼容升级,而新的HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动设计。HIP2211和HIP2210是理想的48V电信电源,d类音频放大器,太阳能逆变器,UPS逆变器。

瑞萨电子Renesas,一家先进的半导体解决方案供应商,推出了一对新的100V半桥MOSFET驱动器:HIP2211和HIP2210。


瑞萨电子Renesas推出高性能100V半桥MOSFET驱动器HIP2211和HIP2210


HIP2211是瑞萨电子流行的ISL2111桥接驱动器的下一代pin兼容升级,而新的HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动设计。HIP2211和HIP2210是理想的48V电信电源,d类音频放大器,太阳能逆变器,UPS逆变器。


这些部件也足够坚固耐用,可以为要求48V的电动机驱动提供动力,如家用和户外用锂离子电池供电的产品、水泵和冷却风扇。


HIP221x驱动程序的设计可以在困难的操作条件下可靠工作,高速、高压的HS pin连续承受-10V,回转速度可达50V/ns。综合欠压保护工作与HIP2210的可编程防射击通过保护,以确保驱动mosfet不损坏由于电源或其他外部故障条件。


瑞萨电子的HIP221x驱动具有强大的3A源、4A接收驱动,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,使其成为高频开关应用的最佳解决方案。HIP2210和HIP2211的设计是补充瑞萨电子微控制器在先进的DC/DC和无刷电机驱动系统。


瑞萨电子工业和通信事业部副总裁Philip Chesley表示:“创新的HIP221x设备延续了我们25年来发展行业领先的Harris Intelligent Power (HIP)半桥驱动器的传统。”稳健的噪声容忍度、超快的传播延迟和高系统效率是我们的客户所依赖的全部HIP半桥MOSFET驱动器的关键特性。



HIP221x 的主要参数特性


115VDC自举电源的最大电压(120V HS绝对最大值)在半桥上支持100V


宽VDD电压工作范围6V至18V(绝对最大20V)


HS针耐受性可达-10V和50V/ns转换速率


综合0.5Ω典型引导二极管消除外部离散二极管


VDD和引导UVLO防止低栅电压驱动到nfets


可调死延时通过RDT引脚(HIP2210 only)防止射孔条件,可从35ns到350ns与一个单一电阻



HIP2211和HIP2210现在在瑞萨的全球经销商处有售,每1000个单位的价格为1.30美元。HIP2211是提供在一个8铅SOIC和一个10铅4mm x 4mm TDFN包。

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