Infineon Technologies AG最近为著名的Easy外壳平台推出了新的IGBT7芯片。这家技术公司正在将最新的TRENCHSTOP IGBT7转移到工业套件EconoDUAL 3中的中等功率域。

带有TRENCHSTOP IGBT7芯片的英飞凌EconoDUAL 3

在这种先进的芯片技术下，1200V模块目前可提供900A的业界最佳功率额定值。与之前的技术相比，它在相似的框架尺寸下可将输出电流提高30％。此外，它还对模块的芯片和外壳进行了特定的改进，可直接满足工业驱动应用的需求。

这意味着可以在农业，建筑，商用车辆和太阳能逆变器中实施所有这些设计。

IGBT7芯片的来源

IGBT7芯片基于全新的微图案沟槽技术TRENCHSTOP。IGBT7芯片，与IGBT4相比，其静态损耗更低。

IGBT7芯片有什么特别之处？

通态电压可将芯片面积减少30％的可观数量，从而使芯片免于在以非常中等的开关频率工作的工业驱动器应用期间的巨大损失。由于IGBT的可控性和振荡，其性能降低了很大的百分比。其最大允许过载结温为175°C。

IGBT7的另一个重要改进是相对于FreeWheeling二极管（FWD），该二极管现已针对驱动器应用进行了优化。由发射极控制的第七代二极管相对于EC4二极管产生100 mV的正向压降。现在，即使二极管关断期间的振荡趋势也要低得多。

EconoDUAL 3具有更高的功率密度，有助于使模块保持并行状态，从而简化了逆变器设计并节省了成本。此外，这项新技术可以很容易地在相似的封装中实施，从而有助于更新现有的逆变器系统设计。

EconoDUAL 3模块还具有更好的外壳，可以承受更高的温度和电流。您可以将其与预先应用的TIM（热界面材料）一起使用，以实现最长的使用寿命和最低的热阻。

IGBT7芯片的采购渠道

900 A模块是英飞凌首批具有EconoDual 3产品组合和TRENCHSTOP IGBT7产品的产品之一。到2020年，更多的当前类/模块类型将投放市场。现在，您可以订购FF900R12ME7_B11。到下个月，带有预先应用的TIM的FF900R12ME7P_B11将上市。