每次在SMPS中打开或关闭功率MOSFET时，寄生电感都会产生地漂移，这可能会导致栅极驱动器IC的错误触发。英飞凌技术股份公司在其经济高效且尺寸紧凑的EiceDRIVER 1EDN TDI  （真正差分输入）1通道栅极驱动器系列中增加了一种器件，以防止此类后果。新器件（1EDN7550U）采用超小（1.5 mm x 1.1 mm x 0.39 mm）6引脚无引线TSNP封装。与替代解决方案相比，英飞凌具有TDI的栅极驱动器IC是高功率密度和高效率设计的关键，而系统成本却更低。

TSNP封装（1EDN7550U）的PCB面积是其SOT-23系列成员的五倍。EiceDRIVER 1EDN TDI在应用级别具有3.3 V PWM输入信号时，可以承受高达±70 V的静态接地偏移和高达±150 V 峰值的瞬态接地偏移  。纤巧的尺寸和接地偏移的鲁棒性相结合，使这些栅极驱动器IC中的两个能够以48 V半桥配置工作。同时，设计人员可以自由地将这些栅极驱动器IC放置在最合适的PCB布局中。

采用无引线TSNP封装的EiceDRIVER 1EDN7550U使25 V和40 V  OptiMOS  MOSFET能够以1.2 MHz的开关频率在开关电容器拓扑中工作。在这种应用中， 已证明有可能实现3060 W / in 3的高功率密度  和97.1％的峰值效率（包括辅助损耗）。

EiceDRIVER 1EDN TDI系列采用标准的SOT-23 6引脚封装，从现在开始，还采用新型的超小型6引脚TSNP封装。