Cree宣布通过发布Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET来扩展其产品组合，从而提供更广泛的工业应用，并支持具有工业应用的下一代电动汽车（EV）车载充电，数据中心和其他可再生系统，领先的电源效率。

新型15mΩ和60mΩ650V 器件采用了Cree行业领先的第三代C3M MOSFET技术，与竞争的碳化硅MOSFET相比，开关损耗降低了20％，并提供了最低的导通态电阻，从而提高了效率和功率密集的解决方案。通过更有效地利用电源，降低散热要求以及行业领先的可靠性，最终用户可从各种应用程序中较低的总拥有成本中受益。

与硅相比，Wolfspeed的新型650V碳化硅MOSFET降低了75％的开关损耗，导通损耗降低了50％，从而有可能使功率密度提高300％。设计工程师现在可以达到并超过业界最雄心勃勃的效率标准，包括服务器电源的80 Plus Titanium要求。

新型650V MOSFET系列也是电动汽车（EV）市场中车载充电器（OBC）的理想选择。更高的效率和更快的切换速度使客户能够设计出性能更高的较小解决方案。Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET还可在OBC中实现双向功能，而不会影响解决方案的尺寸，重量和复杂性。此外，Wolfspeed在汽车AEC-Q101认证中的经验（在E系列MOSFET系列中得到证明）为将来获得汽车认证的650V MOSFET铺平了道路。

其他工业应用，例如通用开关模式电源（SMPS），也将能够利用最大，全球和垂直整合的碳化硅技术供应商提供的新型650V碳化硅MOSFET的诸多优势。

Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET现在可提供表面贴装和通孔封装。