英飞凌新推出的600v CoolMOS S7系列产品应用在mosfet低频率切换中，在功率密度和能源效率方面处于领先地位。CoolMOS S7产品系列的关键功能包括对传导性能的优化，改善的热阻和高脉冲电流能力，所有这些都达到了最高质量标准。这些设备的应用包括有源桥式整流，逆变器级，PLC，  功率固态继电器和固态断路器。此外，10mΩ的CoolMOS S7 MOSFET是业界最小的R  DS（on）  器件。

该产品系列的开发旨在最大程度地减少传导损耗，并确保最快的响应时间，同时提高低频开关应用的效率。与CoolMOS 7产品相比，CoolMOS S7器件提供了更低的R  DS（on） x A，从而成功权衡了开关损耗，从而降低了导通电阻并降低了成本。

CoolMOS S7产品具有高压开关市场上最低的导通电阻（R  DS（on））。此外，已经实现了将10mΩ芯片安装到创新的顶部冷却QDPAK中，并将22mΩ芯片安装到最新的小型TO-TOless（TOLL）SMD封装中。这些MOSFET可实现经济高效，简单，紧凑和模块化的高效设计。系统可以轻松满足法规和能效认证标准（例如，钛金属用于SMPS），并满足功率预算并减少零件数量，散热器和总拥有成本（TCO）。

22mΩ600 V CoolMOS S7器件采用TO无引线和TO-220封装，40mΩ和65mΩ器件采用TO无引线封装。2020年第四季度将推出10mΩ的CoolMOS S7 MOSFET。