Infineon Technologies AG通过650 V器件扩展了其全面的碳化硅（SiC）产品系列。借助新推出的CoolSiC MOSFET，英飞凌正在满足广泛应用中对能效，功率密度和鲁棒性不断增长的需求。其中包括服务器，电信和工业SMPS，  太阳能系统，能量存储和  电池组，  UPS，  电动机驱动器  以及  EV充电。

CoolSiC MOSFET 650 V器件的额定功率为27mΩ至107mΩ。它们采用经典的TO-247 3引脚以及TO-247 4引脚封装，可降低开关损耗。至于以前发布的所有CoolSiC MOSFET产品，新的650 V器件系列均基于英飞凌最新的沟槽半导体技术。最大化SiC的强大物理特性，这确保了这些器件具有出色的可靠性，一流的开关和传导损耗。此外，它们具有最高的跨导电平（增益），4 V的阈值电压（V  th）和短路鲁棒性。因此，沟槽技术可在应用程序中实现最低的损失，并  在操作中提供最高的可靠性  -毫不妥协。

与市场上其他硅和碳化硅解决方案相比，650 V CoolSiC MOSFET具有诱人的优势，例如更高的开关效率和出色的可靠性。由于对温度的导通电阻（R DS（on））的依赖性非常低，因此它们具有出色的热性能。该器件具有坚固耐用的体二极管，可保持极低水平的反向恢复电荷（Q rr），与最佳超结CoolMOS MOSFET相比，约低80％。换向稳健性例如通过使用连续传导模式图腾柱功率因数校正（PFC）有助于非常轻松地实现98％的整体系统效率。

为了简化使用650 V CoolSiC MOSFET的应用设计并确保器件的高性能运行，英飞凌提供了专用的1通道和2通道电隔离EiceDRIVER?栅极驱动器IC。该解决方案将CoolSiC开关和专用栅极驱动器IC结合在一起，有助于降低系统成本以及总拥有成本，并提高能效。CoolSiC MOSFET还可以与英飞凌EiceDRIVER栅极驱动器系列的其他IC无缝协作。

CoolSiC MOSFET 650 V系列包含八个变体，分别装在两个通孔TO-247封装中。现在可以订购。从2020年3月开始，将提供三种专用的栅极驱动器IC。